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美光預計愛(ài)達荷州、紐約州新 DRAM 內存晶圓廠(chǎng)將于 2026 ~2029 年投運

2024/6/28 10:44:28 來(lái)源:IT之家 作者:溯波(實(shí)習) 責編:溯波

IT之家 6 月 28 日消息,美光在業(yè)績(jì)演示文稿中表示,其位于美國愛(ài)達荷州博伊西總部的新 DRAM 內存晶圓廠(chǎng)將于 2027 財年投運,紐約州克萊的晶圓廠(chǎng)則要等到 2028 財年或更晚。

譯文:

愛(ài)達荷州晶圓廠(chǎng)要到 2027 財年才會(huì )帶來(lái)有意義的位元供應,而紐約(州)的建設資本支出預計要到 2028 財年或更晚才會(huì )帶來(lái)位元供應的增長(cháng)。

原文:

This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New York construction capex is not expected to contribute to bit supply growth until fiscal 2028 or later.

美光的財年起始于上一個(gè)日歷年 9 月,截至同名日歷年 8 月。

換句話(huà)說(shuō),愛(ài)達荷州博伊西新晶圓廠(chǎng)將于 2026 年 9 月~2027 年 8 月投運,而位于紐約州克萊的首座晶圓廠(chǎng)將于 2027 年 9 月之后進(jìn)入正式生產(chǎn)階段。

美光同時(shí)表示,將對這些晶圓廠(chǎng)未來(lái)設備支出的時(shí)間線(xiàn)進(jìn)行管理,使供應增長(cháng)與預期需求增長(cháng)保持一致。

美光紐約州克萊晶圓廠(chǎng)渲染圖

▲ 美光紐約州克萊晶圓廠(chǎng)渲染圖

美光此前宣布,將在 2030 年前斥資 500 億美元(IT之家備注:當前約 3642.33 億元人民幣)在博伊西和克萊分別建設一座和兩座先進(jìn) DRAM 內存晶圓廠(chǎng),未來(lái)還將投資 750 億美元在克萊建設另外兩座內存晶圓廠(chǎng)。

根據初步協(xié)議,美國聯(lián)邦政府將給予美光至多 61.4 億美元直接補貼和 75 億美元貸款支持,紐約州政府也將提供價(jià)值 55 億美元的激勵措施。

美光目前尚未啟動(dòng)紐約州克萊晶圓廠(chǎng)的建設。彭博社早前報道稱(chēng),該項目用地目前生活著(zhù)兩種瀕臨滅絕的蝙蝠,美光需要等到蝙蝠進(jìn)入冬眠期后才能砍伐蝙蝠夏季棲息地的樹(shù)木。

美光就此向英媒 The Register 回應稱(chēng),包括為蝙蝠尋找替代棲息地在內的環(huán)境審批問(wèn)題早已被納入其建設時(shí)間表,目標 2025 年初開(kāi)始項目建設。

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關(guān)鍵詞:內存,DRAM,美光,晶圓廠(chǎng)

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